Lambda diodi - Lambda diode

N-kanal JFET (tepada) va p-kanalli JFET lambda-diodli zanjir hosil qilish uchun birlashadi

A lambda diodi bu elektron sxema Differensial maydonni namoyish etadigan ikkita terminalli qurilmaga birlashtiruvchi dala effektli tranzistorlar juftligini birlashtiradi salbiy qarshilik juda o'xshash a tunnel diodasi. Ushbu atama .ning shakliga ishora qiladi V–Men yunoncha letter harfiga o'xshash qurilmaning egri chizig'i (lambda).

Lambda diodalari tunnel diodalariga qaraganda yuqori voltajda ishlaydi. Oddiy tunnel diodasi esa[1] taxminan 70 mV dan 350 mV gacha bo'lgan salbiy differentsial qarshilik ko'rsatishi mumkin, bu mintaqa lambda diodasida taxminan 1,5 V dan 6 V gacha, odatda JFET moslamalarining siqib chiqarilishining yuqori kuchlanishidan kelib chiqadi. Shuning uchun lambda diodi a o'rnini bosa olmaydi tunnel diodasi to'g'ridan-to'g'ri.

Bundan tashqari, tunnel diodasida oqim eng yuqori voltajga ko'tarilishidan oldin eng yuqori oqimning kamida 20% ga etadi. Lambda diodi oqimi kuchlanish kuchayib borishi bilan nolga yaqinlashadi, shundan keyin u yana yuqori quvvatga ko'tarilib, eshik manbasini keltirib chiqaradi Zenerning ishdan chiqishi FETlarda.

Shuningdek, n-kanalni birlashtirib, lambda diodasiga o'xshash qurilmani qurish mumkin JFET bilan PNP bipolyar tranzistor.[2]Tavsiya etilgan modulyatsiya qilinadigan variant, ammo tuzilishi biroz qiyinroq bo'lgan PNP asosidagi optokupldan foydalaniladi va uni IR diodasi yordamida sozlash mumkin. Buning afzalligi shundaki, uning xususiyatlari oddiy nosozlik drayveri bilan yaxshi sozlanishi va yuqori sezgirlikdagi radioeshittirishlar uchun ishlatilishi mumkin, ba'zida uning o'rniga IR LED bilan o'zgartirilgan ochiq quti PNP tranzistoridan foydalanish mumkin.

Ilovalar

Tunnel diodasi singari, lambda diyotining salbiy qarshilik tomoni tabiiy ravishda osilator zanjirlarida qo'llanilishiga imkon beradi.[3] va kuchaytirgichlar. Bunga qo'chimcha, bistable xotira xujayralari kabi sxemalar tasvirlangan.[4]

Adabiyotlar

  1. ^ 1N3712 ma'lumot varag'i.
  2. ^ Salbiy qarshilik yordamida tebranishlar va regenerativ kuchayish.
  3. ^ Lambda salbiy qarshiligi sxemasidan foydalangan holda tushirish o'lchagichi. Lloyd Butler, Havaskor radiosi, 1997 yil yanvar.
  4. ^ Amerika Qo'shma Shtatlari Patenti 4376986: Ikki karra Lambda diodli xotira xujayrasi; http://www.wipo.int/pctdb/images4/PCT-PAGES/1983/091983/83001335/83001335.pdf.

Adabiyot

  • Graf, Rudolf F. (1999). Zamonaviy elektronika lug'ati, 7-nashr. Boston [va boshqalar]: Newnes Press. p. 411. ISBN  0-7506-9866-7.